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1MBH60-100 IMBH60-100 TO-3PL 1000 V60A IGBT Bipolar transistor MOS

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Shenzhen Jiayu Hengchuang Technology Co., Ltd.1 yrCN
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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
1MBH60-100
Art
IGBT
Markenname
FU
Paket-Art
TO-3P

Andere Merkmale

Montage Typ
Durch Löcher
Beschreibung
Igbt
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-3PL
Art
Igbt
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ + 150 ℃
D/c
NEW
Anwendung
Leistungs verstärker anwendungen
Lieferantentyp
Original hersteller, Händler
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Transistor
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Power-Max
Standard
Betriebstemperatur
150 ℃
Befestigungstyp
Through holes
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Standard
Power-Ausgang
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vgs (Max)
Standard
IGBT Typ
Standard
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard
Eingang
Standard
Ntc
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung
Standard
Spannung-Ausgang
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Strom-Tal (Iv)
Standard
Strom-Spitzen
Standard
Anwendungen
Standard
Transistor Typ
Igbt
Funktionen
Kleines Paket
Anwendungen
Einleitung herter
Vces
1000v
Ic
60a
Sparen Sie die Temperatur
-40 ~ 150
Ver kapselung
TO-3PL
Installation methode
Durch Löcher
Typ
Igbt
D/c
Neu
Verpackung
Rohr
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Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 1000 > 1000
Vsl. Dauer (Tage)6Zu verhandeln

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